打印页面
2N7002PS,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 320 mA, 1 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号2N7002PS,115
库存编号1859846RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds P沟道-
电流, Id 连续320mA
在电阻RDS（上）1ohm
连续漏极电流 Id N沟道320mA
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道1ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
阈值栅源电压最大值1.75V
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
功耗 Pd320mW
耗散功率N沟道320mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The 2N7002PS is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET designed in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuits.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- AEC-Q101 qualified
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
-
在电阻RDS（上）
1ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
1ohm
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
SOT-363
功耗 Pd
320mW
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
320mA
连续漏极电流 Id N沟道
320mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.75V
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
320mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005