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BC847BS,115
双极晶体管阵列, NPN, 45V, 100mA, 250mW, 200hFE
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| 7500+ | CNY0.229 (CNY0.2588) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BC847BS,115
库存编号1081234RL
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射电压, Vceo45V
集电极发射极电压最大值NPN45V
集电极直流电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP-
功耗 Pd250mW
连续集电极电流NPN100mA
连续集电极电流NPN-
直流电流增益, hFE200hFE
耗散功率NPN250mW
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN200hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型SC-88
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN100MHz
转换频率NPN-
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BC847BS from NXP is a surface mount NPN/PNP general purpose transistor in SOT-363 (SC-88) package. This transistor is characterized with low collector capacitance, low collector to emitter saturation voltage and closely matched current gain. It reduces number of components and board space. There is no mutual interference between the transistors. Suitable for general purpose switching and amplification.
- Collector to emitter voltage is 45V
- Collector current (Ic) is 100mA
- Current gain of 200 at VCE 5V
- Power dissipation (Pd) is 250mW per transistor
- Ambient temperature range from -65°C to 150°C
- Collector emitter saturation voltage of 300mV at 100mA collector current
- Transition frequency of 100MHz
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值NPN
45V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
100mA
直流电流增益, hFE
200hFE
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
-
MSL
-
集电极发射电压, Vceo
45V
集电极直流电流
100mA
功耗 Pd
250mW
连续集电极电流NPN
-
耗散功率NPN
250mW
直流电流增益hFE最小值NPN
200hFE
晶体管封装类型
SC-88
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
100MHz
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Niger
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Niger
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.016148