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BCV27,215
林顿晶体管, 双NPN, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.580 (CNY2.9154) |
| 50+ | CNY1.520 (CNY1.7176) |
| 100+ | CNY0.970 (CNY1.0961) |
| 500+ | CNY0.713 (CNY0.8057) |
| 1500+ | CNY0.634 (CNY0.7164) |
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产品概述
BCV27,215 is a NPN darlington transistor in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
- Ideal for preamplifier input amplification
- Collector-base breakdown voltage is 40V min at IC = 100µA; IE = 0A; Tamb = 25°C
- Emitter-base breakdown voltage is 10V min at IC = 0A; IE = 100µA; Tamb = 25°C
- DC current gain is 4000 min at VCE = 5V; IC = 1mA; Tamb = 25°C
- Collector-emitter saturation voltage is 1V max at IC = 100mA; IB = 0.1mA; Tamb = 25°C
- Base-emitter turn-on voltage is 1.4V max at IC = 10mA; VCE = 5V; Tamb = 25°C
- SOT23 package
- Ambient temperature range from -65 to 150°C
- Total power dissipation is 250mW max at Tamb ≤ 25°C
技术规格
晶体管极性
双NPN
功耗 Pd
250mW
射频晶体管封装
SOT-23
直流电流增益, hFE
4000hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
30V
集电极直流电流
500mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00002