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BCV27,215
林顿晶体管, 双NPN, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 引脚
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|---|---|
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| 1500+ | CNY0.634 (CNY0.7164) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BCV27,215
库存编号2575141RL
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射电压, Vceo30V
集电极发射极电压最大值NPN30V
功耗 Pd250mW
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极直流电流500mA
连续集电极电流NPN500mA
射频晶体管封装SOT-23
连续集电极电流NPN-
针脚数3引脚
晶体管封装类型SOT-23
耗散功率NPN250mW
直流电流增益, hFE4000hFE
耗散功率PNP-
晶体管安装表面安装
直流电流增益hFE最小值NPN4000hFE
工作温度最高值150°C
直流电流增益hFE最小值PNP-
产品范围-
合规-
转换频率NPN220MHz
转换频率NPN-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BCV27,215 is a NPN darlington transistor in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
- Ideal for preamplifier input amplification
- Collector-base breakdown voltage is 40V min at IC = 100µA; IE = 0A; Tamb = 25°C
- Emitter-base breakdown voltage is 10V min at IC = 0A; IE = 100µA; Tamb = 25°C
- DC current gain is 4000 min at VCE = 5V; IC = 1mA; Tamb = 25°C
- Collector-emitter saturation voltage is 1V max at IC = 100mA; IB = 0.1mA; Tamb = 25°C
- Base-emitter turn-on voltage is 1.4V max at IC = 10mA; VCE = 5V; Tamb = 25°C
- SOT23 package
- Ambient temperature range from -65 to 150°C
- Total power dissipation is 250mW max at Tamb ≤ 25°C
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值NPN
30V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
500mA
连续集电极电流NPN
-
晶体管封装类型
SOT-23
直流电流增益, hFE
4000hFE
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
转换频率NPN
220MHz
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
集电极发射电压, Vceo
30V
功耗 Pd
250mW
集电极直流电流
500mA
射频晶体管封装
SOT-23
针脚数
3引脚
耗散功率NPN
250mW
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值NPN
4000hFE
直流电流增益hFE最小值PNP
-
合规
-
转换频率NPN
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00002