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BSS84AKS,115
双路场效应管, MOSFET, P通道, 50 V, 160 mA
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSS84AKS,115
库存编号1972665RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续160mA
漏源电压Vds P沟道50V
在电阻RDS（上）4.5ohm
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道160mA
漏源通态电阻N沟道-
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道4.5ohm
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数6引脚
功耗 Pd445mW
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道445mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BSS84AKS is a dual P-channel enhancement-mode FET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
-
电流, Id 连续
160mA
在电阻RDS（上）
4.5ohm
连续漏极电流 Id P沟道
160mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
4.5ohm
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
445mW
耗散功率P沟道
445mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
50V
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005