打印页面
BSS84AKS,115
双路场效应管, MOSFET, P通道, 50 V, 160 mA
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSS84AKS,115
库存编号1972665RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds50V
漏源电压Vds N沟道-
电流, Id 连续160mA
漏源电压Vds P沟道50V
在电阻RDS（上）4.5ohm
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道160mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道4.5ohm
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数6引脚
功耗 Pd445mW
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道445mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSS84AKS is a dual P-channel enhancement-mode FET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
50V
电流, Id 连续
160mA
在电阻RDS（上）
4.5ohm
连续漏极电流 Id P沟道
160mA
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
4.5ohm
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
445mW
耗散功率P沟道
445mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
-
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
-
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005