打印页面
BUK7214-75B,118
功率场效应管, MOSFET, N通道, 75 V, 69 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK7214-75B,118
库存编号2777579RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds75V
电流, Id 连续69A
漏源接通状态电阻0.0126ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散158W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
产品概述
BUK7214-75B,118 是一款 N 沟道 TrenchMOS 标准级场效应晶体管。它是一款标准级 N 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用 TrenchMOS 技术的塑料封装。该产品的设计符合相应的 AEC 标准，可用于汽车关键应用。应用包括 12V、24V 和 42V 负载、汽车系统、通用电源开关、电机、灯具和螺线管。
- 符合 AEC Q101 标准
- 低导通电阻，低导通损耗
- 适用于标准电平栅极驱动源
- 185°C额定温度, 适用于高温环境
- 3 引线塑料单端表面贴装封装 (DPAK)
- 结温范围: -55到185°C
- 在 ID = 0.25mA、VGS = 0V、Tj = 25°C 时，漏极-源极击穿电压为 75V
- 在 VGS=10V, ID=25A, Tj=185°C 时，漏源导通电阻为 33 mohm
- 在IS = 25A；VGS = 0V；Tj = 25°C时，源极-漏极电压为 1.2V
- 上升时间：114 ns
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
69A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
158W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
0.0126ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426