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BUK9K35-60E,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY7.210 (CNY8.1473) |
| 100+ | CNY5.120 (CNY5.7856) |
| 500+ | CNY4.160 (CNY4.7008) |
| 1000+ | CNY4.100 (CNY4.633) |
| 5000+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK9K35-60E,115
库存编号3439708
产品范围TrenchMOS Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道22A
连续漏极电流 Id P沟道22A
漏源通态电阻N沟道0.0268ohm
漏源导通电阻P沟道0.0268ohm
晶体管封装类型LFPAK56D
针脚数8引脚
耗散功率N沟道38W
耗散功率P沟道38W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchMOS Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
22A
漏源导通电阻P沟道
0.0268ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
38W
产品范围
TrenchMOS Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
22A
漏源通态电阻N沟道
0.0268ohm
晶体管封装类型
LFPAK56D
耗散功率N沟道
38W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001