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BUK9K52-60E,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK9K52-60E,115
库存编号3439709RL
产品范围TrenchMOS Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续16A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.0414ohm
连续漏极电流 Id N沟道16A
连续漏极电流 Id P沟道16A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0414ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0414ohm
晶体管封装类型LFPAK56D
阈值栅源电压最大值1.7V
针脚数8引脚
功耗 Pd32W
耗散功率N沟道32W
耗散功率P沟道32W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchMOS Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
16A
在电阻RDS（上）
0.0414ohm
连续漏极电流 Id P沟道
16A
漏源通态电阻N沟道
0.0414ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0414ohm
阈值栅源电压最大值
1.7V
功耗 Pd
32W
耗散功率P沟道
32W
产品范围
TrenchMOS Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
16A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
LFPAK56D
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
32W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000218