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GAN039-650NBBHP
氮化镓 (GaN)晶体管, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, SOT-8000, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号GAN039-650NBBHP
库存编号4313177RL
技术数据表
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续58.5A
漏源接通状态电阻0.039ohm
栅极电荷(典型值)26nC
晶体管封装类型SOT-8000
晶体管安装表面安装
针脚数12引脚
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.039ohm
晶体管封装类型
SOT-8000
针脚数
12引脚
合规
-
电流, Id 连续
58.5A
栅极电荷(典型值)
26nC
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.1