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GAN190-650EBEZ
氮化镓 (GaN)晶体管, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号GAN190-650EBEZ
库存编号4198481RL
技术数据表
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续11.5A
漏源接通状态电阻0.138ohm
栅极电荷(典型值)2.8nC
晶体管封装类型DFN8080
晶体管安装表面安装
针脚数8引脚
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.138ohm
晶体管封装类型
DFN8080
针脚数
8引脚
合规
-
电流, Id 连续
11.5A
栅极电荷(典型值)
2.8nC
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012