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NGW30T60M3DFQ
IGBT, 75 A, 1.4 V, 285 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
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|---|---|
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| 10+ | CNY31.500 (CNY35.595) |
| 100+ | CNY30.870 (CNY34.8831) |
| 500+ | CNY30.240 (CNY34.1712) |
| 1000+ | CNY29.610 (CNY33.4593) |
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产品概述
NGW30T60M3DFQ is a 600V, 30A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW30T60M3DF is rated to 175 °C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short circuit withstand time of 5μs. This hard-switching 600V, 30A IGBT is optimized for high-voltage, low-frequency industrial power inverter and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and soft fast reverse recovery diode
技术规格
连续集电极电流
75A
功率耗散
285W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
175°C
产品范围
Field Stop Trench Series
集电极-发射极饱和电压
1.4V
最大集电极发射电压
600V
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001