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NHDTA143ZUF
晶体管 双极预偏置/数字, 单个PNP, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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| 10+ | CNY1.090 (CNY1.2317) |
| 100+ | CNY0.530 (CNY0.5989) |
| 500+ | CNY0.464 (CNY0.5243) |
| 1000+ | CNY0.398 (CNY0.4497) |
| 5000+ | CNY0.391 (CNY0.4418) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NHDTA143ZUF
库存编号3526176
技术数据表
数字晶体管极性单路PNP
晶体管极性单个PNP
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极发射电压, Vceo80V
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP80V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R14.7kohm
基极-发射极电阻R247kohm
电阻比 R1/R20.1电阻比率
晶体管封装类型SC-70
射频晶体管封装SC-70
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散235mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益hFE最小值100hFE
产品范围NHDTA143ZU Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
47kohm
晶体管封装类型
SC-70
引脚数
3引脚
功率耗散
235mW
直流电流增益hFE最小值
100hFE
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
晶体管极性
单个PNP
集电极发射电压, Vceo
80V
集电极发射极电压最大值 PNP
80V
基极输入电阻 R1
4.7kohm
电阻比 R1/R2
0.1电阻比率
射频晶体管封装
SC-70
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
NHDTA143ZU Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000024