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NX1029X,115
双路场效应管, MOSFET, 沟槽式, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
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|---|---|
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| 50+ | CNY2.640 (CNY2.9832) |
| 250+ | CNY1.680 (CNY1.8984) |
| 1000+ | CNY1.110 (CNY1.2543) |
| 2000+ | CNY0.990 (CNY1.1187) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NX1029X,115
库存编号2575106
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道330mA
连续漏极电流 Id P沟道330mA
漏源通态电阻N沟道1ohm
漏源导通电阻P沟道1ohm
晶体管封装类型SOT-666
针脚数6引脚
耗散功率N沟道330mW
耗散功率P沟道330mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
330mA
漏源导通电阻P沟道
1ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
330mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
330mA
漏源通态电阻N沟道
1ohm
晶体管封装类型
SOT-666
耗散功率N沟道
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00002