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NX3008CBKS,115
场效应管, MOSFET, N沟道/P沟道, 30/30V, 350/200mA, SOT363
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 50+ | CNY2.140 (CNY2.4182) |
| 100+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
| 500+ | CNY0.999 (CNY1.1289) |
| 1500+ | CNY0.862 (CNY0.9741) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NX3008CBKS,115
库存编号2069539
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道350mA
连续漏极电流 Id P沟道350mA
漏源通态电阻N沟道1ohm
漏源导通电阻P沟道1ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道280mW
耗散功率P沟道280mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NX3008CBKS is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for level shifter, power supply converter, load switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- Low threshold voltage
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
350mA
漏源导通电阻P沟道
1ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
280mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
350mA
漏源通态电阻N沟道
1ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
280mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005