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NX3008PBKV,115
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
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| 5+ | CNY4.270 (CNY4.8251) |
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| 100+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
| 500+ | CNY1.210 (CNY1.3673) |
| 1000+ | CNY1.060 (CNY1.1978) |
| 5000+ | CNY0.901 (CNY1.0181) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NX3008PBKV,115
库存编号2069550
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道220mA
连续漏极电流 Id P沟道220mA
漏源通态电阻N沟道2.8ohm
漏源导通电阻P沟道2.8ohm
晶体管封装类型SOT-666
针脚数6引脚
耗散功率N沟道330mW
耗散功率P沟道330mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NX3008PBKV is a dual P-channel enhancement-mode MOSFET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- Low threshold voltage
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
220mA
漏源导通电阻P沟道
2.8ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
330mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
220mA
漏源通态电阻N沟道
2.8ohm
晶体管封装类型
SOT-666
耗散功率N沟道
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000003