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NX7002AKW,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 170 mA, 4.5 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 100+ | CNY0.735 (CNY0.8306) |
| 500+ | CNY0.522 (CNY0.5899) |
| 1000+ | CNY0.461 (CNY0.5209) |
| 5000+ | CNY0.337 (CNY0.3808) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NX7002AKW,115
库存编号2191748
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续170mA
漏源接通状态电阻4.5ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散220mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NX7002AKW is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, low-side load-switch, high-speed line driver and switching circuit applications.
- Very fast switching
- ESD protected
- -55 to 150°C Junction temperature range
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
170mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
220mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
4.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005