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NX7002BKXBZ
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NX7002BKXBZ
库存编号2498565RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续260mA
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）2.2ohm
连续漏极电流 Id N沟道260mA
连续漏极电流 Id P沟道260mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道2.2ohm
漏源导通电阻P沟道2.2ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型DFN1010B
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数6引脚
功耗 Pd285mW
耗散功率N沟道285mW
耗散功率P沟道285mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
260mA
在电阻RDS（上）
2.2ohm
连续漏极电流 Id P沟道
260mA
漏源通态电阻N沟道
2.2ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
285mW
耗散功率P沟道
285mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
260mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
2.2ohm
晶体管封装类型
DFN1010B
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
285mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00007