打印页面
PBSS4041PZ,115
单晶体管 双极, PNP, 60 V, 5.7 A, 770 mW, SOT-223, 表面安装
3,893 有货
2,107 您现在可以预订货品了
300 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
3593 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.250 (CNY14.9725) |
| 10+ | CNY8.350 (CNY9.4355) |
| 100+ | CNY8.190 (CNY9.2547) |
| 500+ | CNY8.020 (CNY9.0626) |
| 1000+ | CNY7.850 (CNY8.8705) |
| 5000+ | CNY7.690 (CNY8.6897) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY13.25 (CNY14.97 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS4041PZ,115
库存编号1829362
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压60V
连续集电极电流5.7A
功率耗散770mW
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
针脚数4引脚
过渡频率110MHz
直流电流增益, Hfe 最小值300hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PBSS4041PZ is a 5.7A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.
- Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High energy efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
- AEC-Q101 qualified
- NPN complement is PBSS4041NZ
- PB4041PZ Marking code
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
5.7A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
300hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
60V
功率耗散
770mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
110MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
PBSS4041PZ,115 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000124