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数量 | 价钱 (含税) |
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10+ | CNY0.640 (CNY0.7232) |
100+ | CNY0.405 (CNY0.4576) |
500+ | CNY0.273 (CNY0.3085) |
1000+ | CNY0.208 (CNY0.235) |
5000+ | CNY0.156 (CNY0.1763) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PDTA114ET-QR
库存编号3912203
产品范围PDTA114E Series
技术数据表
数字晶体管极性单路PNP
晶体管极性单个PNP
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极发射极电压最大值 PNP50V
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
基极-发射极电阻R210kohm
射频晶体管封装SOT-23
晶体管封装类型SOT-23
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散250mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值30hFE
产品范围PDTA114E Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
SOT-23
引脚数
3引脚
功率耗散
250mW
直流电流增益, Hfe 最小值
30hFE
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
单个PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
10kohm
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
SOT-23
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
PDTA114E Series
汽车质量标准
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001