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PMDPB30XNZ
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.04 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
| 500+ | CNY1.980 (CNY2.2374) |
| 1000+ | CNY1.770 (CNY2.0001) |
| 5000+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
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多件: 5
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMDPB30XNZ
库存编号3268034RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续4A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.032ohm
连续漏极电流 Id N沟道4A
连续漏极电流 Id P沟道4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.04ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型DFN2020
阈值栅源电压最大值650mV
功耗 Pd490mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道490mW
耗散功率P沟道490mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
4A
在电阻RDS（上）
0.032ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.04ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
650mV
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
490mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
DFN2020
功耗 Pd
490mW
耗散功率N沟道
490mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000007