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PMDXB1200UPEZ
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMDXB1200UPEZ
库存编号2498566RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续410mA
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道410mA
在电阻RDS（上）1.2ohm
连续漏极电流 Id P沟道410mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道1.2ohm
漏源导通电阻P沟道1.2ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值700mV
晶体管封装类型DFN1010B
功耗 Pd285mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道285mW
耗散功率P沟道285mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
410mA
连续漏极电流 Id N沟道
410mA
连续漏极电流 Id P沟道
410mA
漏源通态电阻N沟道
1.2ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
DFN1010B
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
285mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
1.2ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
1.2ohm
阈值栅源电压最大值
700mV
功耗 Pd
285mW
耗散功率N沟道
285mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00007