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PMDXB1200UPEZ
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY2.340 (CNY2.6442) |
| 500+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 1000+ | CNY1.690 (CNY1.9097) |
| 5000+ | CNY1.190 (CNY1.3447) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 5
CNY234.00 (CNY264.42 含税)
品項附註
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMDXB1200UPEZ
库存编号2498566RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续410mA
连续漏极电流 Id N沟道410mA
在电阻RDS（上）1.2ohm
连续漏极电流 Id P沟道410mA
漏源通态电阻N沟道-
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道1.4ohm
阈值栅源电压最大值700mV
晶体管封装类型DFN1010B
针脚数6引脚
功耗 Pd285mW
耗散功率N沟道285mW
耗散功率P沟道285mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
410mA
连续漏极电流 Id P沟道
410mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
1.4ohm
晶体管封装类型
DFN1010B
功耗 Pd
285mW
耗散功率P沟道
285mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
410mA
在电阻RDS（上）
1.2ohm
漏源通态电阻N沟道
-
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
285mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00007