打印页面
PMGD290XN,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
37,364 有货
需要更多？
2696 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
34668 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.370 (CNY4.9381) |
| 50+ | CNY2.540 (CNY2.8702) |
| 100+ | CNY1.690 (CNY1.9097) |
| 500+ | CNY1.260 (CNY1.4238) |
| 1500+ | CNY1.120 (CNY1.2656) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY21.85 (CNY24.69 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMGD290XN,115
库存编号1758099
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道200mA
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.29ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道410mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PMGD290XN,115 is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for driver circuits and switching in portable appliances applications. The device offers 40% smaller footprint.
- Fast switching speed
- Low ON-state resistance
- Low threshold voltage
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
200mA
漏源通态电阻N沟道
0.29ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
410mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006