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PMGD780SN,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMGD780SN,115
库存编号1758102RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续300mA
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）0.78ohm
连续漏极电流 Id N沟道300mA
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.78ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值2V
针脚数6引脚
功耗 Pd410mW
耗散功率N沟道410mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PMGD780SN,115 is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for driver circuits and switching in portable appliances applications. The device offers 40% smaller footprint.
- Fast switching speed
- Low ON-state resistance
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
300mA
在电阻RDS（上）
0.78ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.78ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
410mW
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
300mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
410mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006