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| 500+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 1500+ | CNY1.040 (CNY1.1752) |
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产品概述
PMV40UN2是一款采用Trench MOSFET技术的小型表面安装塑料封装的N沟道增强模式场效应晶体管。它适合用于LED驱动器、低压侧负载开关和开关电路应用。
- 低阈值电压
- 快速开关
- 增强的功率耗散能力为1000mW
- 结温范围: -55到150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4.4A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
490mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.044ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
650mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
PMV40UN2R 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000121