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PMV55ENEAR
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 3.1 A, 0.06 ohm, TO-236AB, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMV55ENEAR
库存编号2628094
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续3.1A
漏源接通状态电阻0.06ohm
晶体管封装类型TO-236AB
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散478mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
PMV55ENEAR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Logic level compatible, very fast switching
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is 60V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 20V maximum
- Drain current is 3.1A maximum at VGS = 10V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 12.6A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 478mW max at Tamb = 25°C
- Source current is 1.3A max at Tamb = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.1A
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
478mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000009