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PSMN013-100BS,118
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN013-100BS,118
库存编号3440089RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续68A
漏源接通状态电阻0.0139ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散170W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
PSMN013-100BS,118 is a N-channel 100V 13.9mohm standard level MOSFET designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. Also used at DC-to-DC converters, load switching, motor control and server power supplies.
- High efficiency due to low switching and conduction losses
- Suitable for standard level gate drive
- 10V Rds(on) test voltage
- 100V drain source voltage (Vds)
- 3V max gate source threshold voltage
- 170W power dissipation
- Junction temperature range from -55 to 175°C
- 3 leads D2PAK package
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
68A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
170W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0139ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001743