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PSMN017-60YS,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, 表面安装
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| 500+ | CNY4.240 (CNY4.7912) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN017-60YS,115
库存编号1845633
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续44A
漏源接通状态电阻0.0157ohm
晶体管封装类型SOT-669
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散74W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
PSMN017-60YS 是一款N沟道标准电平MOSFET, 采用先进TrenchMOS技术, 具有低RDS (ON)和低栅极电荷。设计用于DC-DC转换器, 锂离子电池保护, 负载开关, 服务器电源, 家用设备等应用。
- 良好的机械和温度特性
- 开关电源转换器内提供高效率增益
- LFPAK提供大功率密度, POWER SO8封装
- -55至175°C结温范围
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
44A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
74W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0157ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000147