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PUMD3,115
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP互补, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PUMD3,115
库存编号8738378RL
产品范围PUMD3 Series
技术数据表
晶体管极性NPN和PNP互补
数字晶体管极性NPN和PNP执行
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R2-
晶体管封装类型SOT-363
射频晶体管封装SOT-363
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散200mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益hFE最小值30hFE
产品范围PUMD3 Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PUMD3 is a NPN-PNP Resistor Equipped Transistor Array in a surface-mount plastic package. This bipolar device is suitable for low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.
- Built-in bias resistors
- Simplifies circuit design
- Reduces component count
- PUMB11 dual PNP complement
- PUMH11 dual NPN complement
警告
Market demand for this product has caused an extension in lead-times. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
NPN和PNP互补
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
SOT-363
引脚数
6引脚
功率耗散
200mW
直流电流增益hFE最小值
30hFE
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
NPN和PNP执行
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
SOT-363
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
PUMD3 Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006