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MRF101BN
晶体管, 射频FET, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
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| 1+ | CNY775.030 (CNY875.7839) |
| 5+ | CNY668.020 (CNY754.8626) |
| 10+ | CNY561.020 (CNY633.9526) |
| 50+ | CNY536.480 (CNY606.2224) |
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产品概述
These devices are designed for use in VHF/UHF communications, VHF TV broadcast and aerospace applications as well as industrial, scientific and medical applications. The devices are exceptionally rugged and exhibit high performance up to 250 MHz.
- Mirror pinout versions (A and B) to simplify use in a push-pull, two-up configuration
- Characterized from 30 to 50 V
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch
技术规格
漏源电压, Vds
133V
功率耗散
182W
运行频率最大值
250MHz
针脚数
3引脚
通道类型
N通道
产品范围
MRF101AN; MRF101BN
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
1.8MHz
晶体管封装类型
TO-220
工作温度最高值
175°C
晶体管安装
通孔
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004