打印页面
MRF300AN
晶体管, 射频FET, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247
252 有货
需要更多？
113 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
139 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY402.040 (CNY454.3052) |
| 5+ | CNY362.240 (CNY409.3312) |
| 10+ | CNY322.430 (CNY364.3459) |
| 50+ | CNY308.660 (CNY348.7858) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY402.04 (CNY454.31 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商NXP
制造商产品编号MRF300AN
库存编号2917575
技术数据表
漏源电压, Vds133V
电流, Id 连续-
功率耗散272W
工作频率最小值1.8MHz
运行频率最大值250MHz
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
通道类型N通道
晶体管安装通孔
产品范围MRF300AN; MRF300BN
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
These high ruggedness devices are designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications and HF and VHF communications as well as radio and VHF TV broadcast, sub--GHz aerospace and mobile radio applications. Their unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 250 MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Two opposite pin--connection versions (A and B) to be used in a push-pull, two-up configuration for wideband performance
- Characterized from 30 to 50 V
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
技术规格
漏源电压, Vds
133V
功率耗散
272W
运行频率最大值
250MHz
针脚数
3引脚
通道类型
N通道
产品范围
MRF300AN; MRF300BN
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
1.8MHz
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
175°C
晶体管安装
通孔
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0025