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MRFE6VP61K25HR6
晶体管, 射频FET, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S
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产品信息
制造商NXP
制造商产品编号MRFE6VP61K25HR6
库存编号2776247
技术数据表
漏源电压, Vds133VDC
电流, Id 连续-
功率耗散1.333kW
工作频率最小值1.8MHz
运行频率最大值600MHz
晶体管封装类型NI-1230H-4S
针脚数4引脚
工作温度最高值225°C
通道类型N通道
晶体管安装法兰
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
MRFE6VP61K25HR6 是一款宽带射频功率 LDMOS 晶体管，采用 4 引脚 NI-1230 封装。这种高强度器件专为高驻波比工业（包括激光和等离子激励器）、广播（模拟和数字）、航空航天和无线电/陆地移动应用而设计。它们采用无与伦比的输入和输出设计，允许在 1.8 至 600 MHz 之间的宽频率范围内使用。
- 无与伦比的输入和输出允许宽频率范围使用
- 器件可用于单端或推挽式配置
- 最大工作电压可达 50VDD
- 在 30V 至 50V 范围内具有扩展功率范围的特性
- 适用于具有适当偏置的线性应用
- 集成 ESD 保护功能，具有更大的负栅-源极电压，提高了 C 类工作性能
- 采用串联等效大信号阻抗参数进行表征
技术规格
漏源电压, Vds
133VDC
功率耗散
1.333kW
运行频率最大值
600MHz
针脚数
4引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
1.8MHz
晶体管封装类型
NI-1230H-4S
工作温度最高值
225°C
晶体管安装
法兰
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009475