打印页面
MRFE6VS25NR1
晶体管, 射频FET, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270
产品信息
制造商NXP
制造商产品编号MRFE6VS25NR1
库存编号2776252RL
技术数据表
漏源电压, Vds133VDC
电流, Id 连续-
功率耗散-
工作频率最小值1.8MHz
运行频率最大值2000MHz
晶体管封装类型TO-270
针脚数2引脚
工作温度最高值225°C
通道类型N通道
晶体管安装法兰
产品范围-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
产品概述
The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- High ruggedness
- Enhancement-mode lateral MOSFET
- Wide operating frequency range
- Extreme ruggedness
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Extended ESD protection circuit
技术规格
漏源电压, Vds
133VDC
功率耗散
-
运行频率最大值
2000MHz
针脚数
2引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
1.8MHz
晶体管封装类型
TO-270
工作温度最高值
225°C
晶体管安装
法兰
MSL
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003