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产品信息
制造商NXP
制造商产品编号RDGD3100F3PH5EVB
库存编号3378938
技术数据表
硅芯制造商-
硅芯号GD3100
套件应用类型IGBT/SiC栅极驱动器
应用系统子类型三相EV电机控制
内核架构-
内核子架构-
硅芯系列号-
套件内容参考设计板 GD3100,PCIe 线缆,快速入门指南
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
RDGD3100F3PH5EVB 是用于采用 GD3100 的 Fuji M653 IGBT 的三相参考设计。这是一款功能齐全的三相功率栅极驱动参考设计,配备了六个 GD3100 栅极驱动器、故障管理和支持控制电路。电路板支持 SPI 菊链编程,可与 3 个高压侧栅极驱动器和 3 个低压侧栅极驱动器独立通信。随附 S32SDEV-CON18 PCIe 电缆,用于连接 MCU 控制板 MPC5777C-DEVB(未随附)。该电路板设计用于连接富士电机 M653 系列 IGBT 模块基底面(不包括)。支持用于汽车和工业发动机管理的超可靠 MPC5777C MCU,以及用于电池管理系统 (BMS) 和逆变器应用的 MPC5775B-E: MPC5775B 和 MPC5775E MCU。电路板的安全特性经认证符合 ASIL D ISO 26262 功能安全要求,包括全面诊断、快速短路保护、OCP、温度警告和关机。
- 用于安全监控、可编程性和灵活性的 SPI 接口
- 传播延迟低,PWM 失真最小
- 集成电隔离信号(高达 8KV)
- 集成式栅极驱动功率级,能够提供 15A 峰值源电流和灌电流
- 完全可编程的有源Miller钳
- 与负栅极电源、电流感应和温度感应 IGBT 兼容
- 外部爬电距离 (CPG) <gt/> 7.8 mm,CMTI <gt/> 100V/ns
- 工作频率<gt/> 40KHz,工作温度范围为 -40°C 至 125°C
- GD3100 符合 ISO 26262 ASIL C/D 功能安全要求
- 符合汽车级标准
内容
装在防静电袋中的 RDGD3100F3PH5EVB 三相功率栅极驱动逆变器板、一条用于连接 MCU 板的 PCIe 电缆 (S32SDEV-CON18)、快速入门指南。
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
硅芯制造商
-
套件应用类型
IGBT/SiC栅极驱动器
内核架构
-
硅芯系列号
-
产品范围
-
硅芯号
GD3100
应用系统子类型
三相EV电机控制
内核子架构
-
套件内容
参考设计板 GD3100,PCIe 线缆,快速入门指南
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.63