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RDGD3100I3PH5EVB
参考设计板、GD3100、3 相 EV 电机控制、IGBT/SiC 栅极驱动器、PCIe 线缆
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产品信息
制造商NXP
制造商产品编号RDGD3100I3PH5EVB
库存编号3378939
技术数据表
硅芯制造商-
硅芯号-
套件应用类型IGBT/SiC栅极驱动器
应用系统子类型三相EV电机控制
内核架构-
内核子架构-
硅芯系列号GD3100
套件内容参考设计板 GD3100，PCIe 线缆，快速入门指南
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
RDGD3100I3PH5EVB 是一款功能齐全的三相功率栅极驱动器参考设计板，内含六个 GD3100 栅极驱动器，并带有故障管理和支持控制电路。该电路板支持 SPI 菊链通信，用于编程以及与三个高压侧栅极驱动器和三个低压侧栅极驱动器进行独立通信。随附 S32SDEV-CON18 PCIe 电缆，用于连接 MCU 控制板 MPC5777C-DEVB（未随附）。该电路板设计用于连接到 HybridPACK™ 驱动器 IGBT 模块基底面（不包括）。
- 用于安全监控、可编程性和灵活性的 SPI 接口
- 传播延迟低，PWM 失真最小
- 集成电隔离信号（高达 8KV）
- 集成式栅极驱动功率级，能够提供 15A 峰值源电流和灌电流
- 完全可编程的有源毫勒钳位，与负栅极电源兼容
- 与电流感应和温度感应 IGBT 兼容
- 集成软关断、两级关断、有源箝位和分段驱动功能，用于波形整形
- 兼容 200V 至 1700V IGBT/SiC，功率范围 <gt/> 125KW
- 工作温度范围: -40°C到125°C
- 工作频率 <gt/> 40kHz，提供 5V 和 3.3V 容差 MCU 接口
内容
RDGD3100I3PH5EVB 三相功率栅极驱动逆变器板、连接电缆 (S32SDEV-CON18)、快速入门指南。
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
硅芯制造商
-
套件应用类型
IGBT/SiC栅极驱动器
内核架构
-
硅芯系列号
GD3100
产品范围
-
硅芯号
-
应用系统子类型
三相EV电机控制
内核子架构
-
套件内容
参考设计板 GD3100，PCIe 线缆，快速入门指南
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.63