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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BDV64BG
库存编号9555943
技术数据表
晶体管极性PNP
集电极发射电压, Vceo100V
功耗 Pd125W
集电极直流电流10A
晶体管封装类型TO-247
射频晶体管封装TO-247
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE1000hFE
晶体管安装通孔
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The BDV64BG is a -100V Silicon PNP Bipolar Darlington Plastic Power Transistor that can be used as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
技术规格
晶体管极性
PNP
功耗 Pd
125W
晶体管封装类型
TO-247
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极直流电流
10A
射频晶体管封装
TO-247
直流电流增益, hFE
1000hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.003856