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FDS6912A
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.330 (CNY6.0229) |
| 50+ | CNY4.510 (CNY5.0963) |
| 100+ | CNY3.680 (CNY4.1584) |
| 500+ | CNY2.980 (CNY3.3674) |
| 1000+ | CNY2.730 (CNY3.0849) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS6912A
库存编号1095019
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.019ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.6W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.019ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000223