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FDS6912A
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS6912A
库存编号1095019RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
电流, Id 连续6A
连续漏极电流 Id N沟道6A
在电阻RDS（上）0.019ohm
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.019ohm
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.9V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd1.6W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.6W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS6912A is a 30V Dual N-channel logic level PowerTrench® MOSFET produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V gate source voltage (VGSS)
- 78°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 40°C/W Thermal resistance, junction to case
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
6A
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.019ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
6A
在电阻RDS（上）
0.019ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.9V
功耗 Pd
1.6W
耗散功率N沟道
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000223