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MC33152DG
MOSFET驱动器双路, 非反相, 6.1V-18V电源, 1.5A峰值输出, 100K Ohm输出, SOIC-8
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MC33152DG
库存编号1191817
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型非隔离
驱动配置低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流1.5A
灌电流1.5A
电源电压最小值6.1V
电源电压最大值18V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
输入延迟55ns
输出延迟40ns
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The MC33152DG is a dual non-inverting high speed MOSFET Driver specifically designed for applications that require low current digital signals to drive large capacitive loads with high slew rates. This device features low input current making them CMOS/LSTTL logic compatible, input hysteresis for fast output switching that is independent of input transition time and two high current totem pole outputs ideally suited for driving power MOSFET. Also included is an under-voltage lockout with hysteresis to prevent system erratic operation at low supply voltages.
- Low standby current
- Efficient high frequency operation
- Enhanced system performance with common switching regulator control ICs
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
1.5A
电源电压最小值
6.1V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
55ns
产品范围
-
MSL
-
栅极驱动器类型
非隔离
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
1.5A
电源电压最大值
18V
工作温度最高值
85°C
输出延迟
40ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000141