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MC33153DR2G
IGBT驱动器, 低压侧, 2 A, 0 V至15 VSOIC-8
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| 500+ | CNY8.520 (CNY9.6276) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MC33153DR2G
库存编号2534264
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型非隔离
驱动配置低压侧
电源开关类型IGBT
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型反相
拉电流1A
灌电流2A
电源电压最小值0V
电源电压最大值15V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
输入延迟80ns
输出延迟120ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
1A
电源电压最小值
0V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
80ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
非隔离
电源开关类型
IGBT
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
反相
灌电流
2A
电源电压最大值
15V
工作温度最高值
105°C
输出延迟
120ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000213