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NCP51530ADR2G
MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 10V至17V电源, 1.7A输出, 60ns延迟, SOIC-8
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| 50+ | CNY6.150 (CNY6.9495) |
| 100+ | CNY6.080 (CNY6.8704) |
| 250+ | CNY6.020 (CNY6.8026) |
| 500+ | CNY5.960 (CNY6.7348) |
| 1000+ | CNY5.900 (CNY6.667) |
| 2500+ | CNY5.840 (CNY6.5992) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCP51530ADR2G
库存编号2895676
技术数据表
通道数-
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型-
拉电流3.5A
灌电流3A
电源电压最小值10V
电源电压最大值17V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟60ns
输出延迟60ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道数
-
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
3.5A
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
60ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
-
灌电流
3A
电源电压最大值
17V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
60ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001