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NCP81253MNTBG
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 4.5 V至5.5 V电源, 15 ns输入/18 ns输出继电器, DFN-8
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCP81253MNTBG
库存编号2627995
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装DFN
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流-
灌电流-
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值100°C
输入延迟15ns
输出延迟18ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NCP81253MNTBG is a 5V MOSFET driver compatible with single phase IMVP8 controller in 8 pin DFN package. This is a high performance dual MOSFET gate driver optimized to drive the gates of both high side and low side power MOSFETs in a synchronous buck converter. The driver outputs can be placed into a high impedance state via tri-state PWM and EN inputs. The NCP81253 comes packaged with an integrated boost diode to minimize external components. A VCC UVLO function guarantees the outputs are low when the supply voltage is low. It is used in power management solutions for notebook systems.
- Main supply voltage range from -0.3V to 6.5V, VCC range from 4.5V to 5.5V
- Internal bootstrap diode, 5V tri-stage PWM input
- Diode braking capability via EN mid-state
- Anti-cross conduction circuit protects against cross conduction during FET turn-on & turn-off
- Output disable control turns off both MOSFETs via enable pin
- VCC undervoltage lockout
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
-
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
15ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
DFN
输入类型
非反向
灌电流
-
电源电压最大值
5.5V
工作温度最高值
100°C
输出延迟
18ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001