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NIS5112D2R2G.
电子保险丝, 高压侧N沟道FET, 9 V至18 V电源, SOIC-8
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY35.640 (CNY40.2732) |
| 10+ | CNY27.560 (CNY31.1428) |
| 25+ | CNY25.020 (CNY28.2726) |
| 50+ | CNY22.470 (CNY25.3911) |
| 100+ | CNY20.410 (CNY23.0633) |
| 250+ | CNY19.040 (CNY21.5152) |
| 500+ | CNY17.900 (CNY20.227) |
| 1000+ | CNY16.760 (CNY18.9388) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY35.64 (CNY40.27 含税)
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NIS5112D2R2G.
库存编号2724260
技术数据表
通道数1放大器
电源电压最小值9V
电源电压最大值18V
IC 外壳 / 封装NSOIC
针脚数8引脚
电源开关MOSFET
芯片安装表面安装
芯片功能电子保险丝
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道数
1放大器
电源电压最大值
18V
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
电源电压最小值
9V
IC 外壳 / 封装
NSOIC
电源开关
MOSFET
芯片功能
电子保险丝
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001