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NTD5867NLT4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 500+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTD5867NLT4G
库存编号1879964
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续20A
漏源接通状态电阻0.026ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.8V
功率耗散36W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
NTD5867NLT4G 的替代之选
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产品概述
On Semiconductor NTD5867NLT4G是一款采用DPAK封装的表面安装、60V N沟道功率MOSFET。该器件具有高电流能力、低RDS（导通）和雪崩测试的特点，因此具有最小的传导损耗、稳健的负载性能和电压过载保障。这种MOSFET可用于LED背光、直流到直流转换器、电机驱动器和UPS逆变器。
- 漏极至源极电压: 60V
- 栅-源电压: ±20V（连续电压）
- 连续漏极电流 (Id): 20A
- 功耗 (Pd): 36W
- 工作结温范围: -55°C至150°C
- 栅极阈值电压为1.8V
- Vgs 10V时, 低导通电阻26mohm
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
36W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.026ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00049