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2N7002
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.440 (CNY3.8872) |
| 10+ | CNY1.900 (CNY2.147) |
| 100+ | CNY1.330 (CNY1.5029) |
| 500+ | CNY1.130 (CNY1.2769) |
| 3000+ | CNY0.837 (CNY0.9458) |
| 9000+ | CNY0.803 (CNY0.9074) |
| 24000+ | CNY0.769 (CNY0.869) |
| 45000+ | CNY0.734 (CNY0.8294) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7002
库存编号9845313
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续115mA
漏源接通状态电阻1.2ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散200mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
2N7002是一款N沟道增强型场效应晶体管, 采用高单元密度与DMOS技术生产。该产品最大限度地降低了导通电阻, 同时提供坚固, 可靠与快速的开关性能。可用于大多数需要高达400mADC的应用, 并可提供高达2A的脉冲电流。适用于低电压, 低电流应用, 如小型伺服电机控制或功率MOSFET门驱动器。
- 高密度单元设计, 极低RDS(ON)
- 高饱和电流能力
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
115mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000031