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2N7002DW
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
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| 100+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
| 500+ | CNY0.977 (CNY1.104) |
| 1500+ | CNY0.957 (CNY1.0814) |
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产品概述
The 2N7002DW is an N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor features low on-resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
115mA
漏源导通电阻P沟道
1.6ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
200mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
115mA
漏源通态电阻N沟道
1.6ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003629