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2N7002W
功率场效应管, MOSFET, N通道, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 50+ | CNY1.420 (CNY1.6046) |
| 100+ | CNY1.110 (CNY1.2543) |
| 500+ | CNY0.710 (CNY0.8023) |
| 1500+ | CNY0.696 (CNY0.7865) |
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最低: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7002W
库存编号2453383
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds78V
电流, Id 连续115mA
漏源接通状态电阻13.5ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.76V
功率耗散200mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The 2N7002W is a N-channel enhancement-mode FET with low ON-resistance and low gate threshold voltage.
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Ultra-small surface-mount package
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
115mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
78V
漏源接通状态电阻
13.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.76V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00003