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2N7002WT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SC-70, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7002WT1G
库存编号2440763
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续340mA
漏源接通状态电阻1.6ohm
晶体管封装类型SC-70
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散330mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The 2N7002WT1G is a N-channel small signal Power MOSFET ideal for low power applications. It offers 60V drain source voltage and 310mA continuous drain current. It is suitable for low side load switch, level shift circuits, DC-to-DC converter, DSC and PDA applications.
- Low RDS (ON)
- Small footprint surface-mount package
- Halogen-free
- ESD Protected
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
340mA
晶体管封装类型
SC-70
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
330mW
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1.6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001