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BC857BDW1T1G
双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, 45 V, 100 mA
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.852 (CNY0.9628) |
| 50+ | CNY0.685 (CNY0.774) |
| 100+ | CNY0.517 (CNY0.5842) |
| 500+ | CNY0.344 (CNY0.3887) |
| 1500+ | CNY0.338 (CNY0.3819) |
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最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BC857BDW1T1G
库存编号1653608
产品范围BCxxx Series
技术数据表
晶体管极性双PNP
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极发射极电压最大值 PNP45V
连续集电极电流NPN-
连续集电极电流NPN100mA
耗散功率NPN-
耗散功率PNP380mW
直流电流增益hFE最小值NPN-
直流电流增益hFE最小值PNP150hFE
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN-
转换频率NPN100MHz
产品范围BCxxx Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BC857BDW1T1G is a dual PNP Bipolar Transistor Array designed for general purpose amplifier applications. It is designed for low power surface-mount applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
技术规格
晶体管极性
双PNP
集电极发射极电压最大值 PNP
45V
连续集电极电流NPN
100mA
耗散功率PNP
380mW
直流电流增益hFE最小值PNP
150hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
100MHz
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
-
连续集电极电流NPN
-
耗散功率NPN
-
直流电流增益hFE最小值NPN
-
晶体管封装类型
SOT-363
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
-
产品范围
BCxxx Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
BC857BDW1T1G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.08