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BCW66GLT1G
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.688 (CNY0.7774) |
| 50+ | CNY0.562 (CNY0.6351) |
| 100+ | CNY0.435 (CNY0.4916) |
| 500+ | CNY0.278 (CNY0.3141) |
| 1500+ | CNY0.273 (CNY0.3085) |
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最低: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BCW66GLT1G
库存编号2317524
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压45V
连续集电极电流800mA
功率耗散300mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值60hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BCW66GLT1G is a NPN general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- AECQ101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
800mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
60hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
45V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363