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BSS138LT1G
场效应管, MOSFET, N型 50V SOT-23
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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产品概述
On Semiconductor的BSS138LT1G是一款采用SOT-23封装的表面贴装50V N沟道功率MOSFET。其具有低阈值电压特性，特别适用于低压应用。典型应用包括DC-DC转换器、便携式及电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA卡、手机和无绳电话。
- 漏-源电压(Vds): 50V
- 栅-源电压: 20V
- 连续漏极电流(ld): 200mA
- 功耗（pd）: 225mW
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- Vgs 为 5V 时，导通电阻低至 3.5ohm
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
225mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
3.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008