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BSS138W
场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 0.21A, SOT-323-3
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 500+ | CNY0.726 (CNY0.8204) |
| 1500+ | CNY0.712 (CNY0.8046) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品概述
The BSS138W is a N-channel enhancement-mode FET designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
210mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
340mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
3.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001021